薄报学

学历/学位:研究生/博士

职称/导师:研究员/博士生导师

系所:高功率半导体激光重点实验室

行政职务:

通讯地址:长春市卫星路7186号,理工科技大厦A座309

联系电话:0431-85583389

邮政编码:130022

电子邮件:bbx@cust.edu.cn

个人简介:

        学习简历:
        1982-1989:吉林大学半导体系,半导体物理与器件专业,本科/硕士研究生
        1999-2002: 吉林大学电子工程学院,微电子学与固体电子学专业,博士研究生

        工作简历:
        1989-2002: 长春理工大学半导体激光实验室,助教/讲师/副教授/教授/博导
        2002-2003: 新加坡南洋理工大学,Research Fellow
        2003-现在: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,研究员,博导

        获国家、省部级科技成果奖7项;发表学术论文150余篇。

研究方向:

        高功率半导体激光器设计、工艺与特性评价

所属学科及导师类别:

        光学工程  博士生导师

代表性科研项目:

        国家自然基金项目 基于扩展透明窗口的1.06um波长高功率、高阶DFB单模半导体激光器研究,2018-2021
        吉林省科技发展计划项目976nm高功率半导体激光器芯片关键技术研究,2019-2021

代表性论文或专利:

        发表学术论文150余篇、授权国家发明专利12项。
        Qiao, ZL et al., High-performance 1.06-um InGaAs/GaAs double-quantum-well semiconductor lasers with asymmetric heterostructure layers, Semicon.Sci. & Technol. 34(5),2019
        Qiao, ZL et al.,Monolithic Fabrication of InGaAs/GaAs/AlGaAs Multiple Wavelength Quantum Well Laser Diodes via Impurity-Free Vacancy Disordering Quantum Well Intermixing, IEEE J. Electron Devices Soc.,5(2),2017
        Zhou, Lu et al.,Facet Passivation of GaAs based LDs by N2 plasma pretreatment and RF sputtered AlxNyfilm coating, J. Lightwave Technol., 31(13),2013
        Gao Xin et al.,Fabrication of high power, high-efficiency linear array diode lasers by pulse anodic oxidation, Japanese J. Appl. Phys.,45(9A),2006
        Bo,Baoxue, Rhombus-like stripe BA InGaAs-AlGaAs-GaAs lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., 16(5),2004

获奖:

        半导体激光泵浦固体激光技术/InGaAsP/GaAs高功率半导体激光器,国家科技进步三等奖(第3名),1999

社会兼职:

        国际光学工程学会(SPIE)、中国光学工程学会会员等。