徐英添

学历/学位:研究生/博士

职称/导师:副研究员/博士生导师

系所:高功率半导体激光国家重点实验室

行政职务:光电子技术及应用研究室主任

通讯地址:吉林省长春市长春理工大学南区科技大厦A305

联系电话:0431-85583395

邮政编码:130022

电子邮件:xyt@cust.edu.cn

个人简介:

        2004年至2008年在长春理工大学电子信息及工程学院通信工作专业学习,2009年至2014年在吉林大学微电子学与固体电子学获理学博士学位。2018年任副研究员。2018年获金国藩青年学子奖,2020年入选长春理工大学大珩青年学者。授权国家发明专利一项;以第一作者及通讯作者发表SCI及EI论文十余篇。

研究方向:

        主要研究方向为半导体激光器应用及微纳结构半导体光电子器件。

所属学科及导师类别:

        光学工程  博士生导师

代表性科研项目:

        主持科研项目:
        1、国家自然科学基金项目 金属核壳结构介质内核电场限域效应及局域场增强紫外受激辐射机理研究----2019.1-2021.12
        2、吉林省科技厅优秀青年基金项目 等离子体增强ZnO核壳微米线阵列F-P微腔受激辐射的研究----2018.1-2019.12

代表性论文或专利:

        第一作者及通讯作者发表SCI及EI论文10余篇,授权发明专利1项。
        以下为5篇代表性论文(*通讯作者)
        1、Yingtian Xu, Ying Li, Linlin Shi, Danni Li, He Zhang, Liang Jin,  Li Xu, Xiaohui Ma, Yonggang Zou, Jingzhi Yin. Reverse-bias-driven whispering gallery mode lasing from individual ZnO microwire/p-Si heterojunction. Nanoscale, 2018, 10, 5302.
        2、Yingtian Xu, Ying Li, He Zhang, Liang Jin, Xuan Fang, Linlin Shi, Li Xu, Xiaohui Ma, Yonggang Zou Jingzhi Yin. Ultraviolet-enhanced Electroluminescence from Individual ZnO Microwire/p-Si Light Emitting Diode by Reverse Tunneling Effect. Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5, 6640-6646.
        3、Yingtian Xu, Li Xu, Jun Dai, Yan Ma, Xianwei Chu, Yuantao Zhang, Guotong Du, Baolin Zhang, Jingzhi Yin. Ultraviolet-enhanced light emitting diode employing individual ZnO microwire with SiO2 barrier layers. Applied Physics Letters, 2015, 106, 212105.
        4、Liang Jin, Hongda Wu, Yingtian Xu*, Guanxin Wang, Xiaoyi Wang, Linlin Shi, He Zhang, Danni Li, Xiaohui Ma, Jingzhi Yin. An Emerging Transparent Conducting Oxides Material: 2-Dimensional Plasmonic Zn doped CuGaO2 Nanoplates for Q-switched Fiber Laser. Optics Express, 2019, 27, 25718.
        5、Hongda Wu, Guanxin Wang, Xiaoyi Wang, Yingtian Xu*, Linlin Shi, He Zhang*, Liang Jin, Xiaohui Ma, Yonggang Zou, Jingzhi Yin. Stable all-fiber passively Q-switched erbium-doped fiber laser based on plasmonic Zn doped CuGaO2 nanoplates. Applied Physics Express, 2019, 12, 112010.
        授权发明专利:
        大功率半导体激光高频调制电路2019专利号:ZL 2016 1 0077089.0