唐吉龙

学历/学位:研究生/博士

职称/导师:副研究员/博士生导师

系所:高功率半导体激光国家重点实验室

行政职务:

通讯地址:吉林省长春市卫星路7189号理工科技大厦A-307室

联系电话:0431-85583390

邮政编码:130022

电子邮件:174013640@qq.com

个人简介:

        1996年至2000年在长春光学精密机械学院光学专业学习,2003年至2006年在长春理工大学攻读硕士学位,获光学理学硕士学位,2010年6月在长春理工大学获光学工程专业工学博士学位。2015年任副研究员,2017年受聘博士生导师。
        承担国家自然科学基金、总装预研基金、吉林省科技厅自然基金,吉林省重点项目、吉林省科技厅项目、吉林省发改委项目,省教育厅基础研究项目等10余项。参与总装“十二五”预研基金、重点基金、国家自然科学基金项目等13项。发表学术论文30余篇,其中SCI、EI检索20余篇,申请专利10余项,授权专利5项。

研究方向:

        光电子技与应用

所属学科及导师类别:

        光学工程  博士生导师

代表性科研项目:

        作为项目负责人先后主持项目10余项:
        1.国家自然科学基金-面上项目“3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究”,2016.1~2019.12;
        2.吉林省自然科学基金“锑化物W型量子阱材料及其在中红外激光器中的应用研究”,2016.1~2018.12;
        3.吉林省科技厅重大科技招标专项“大气污染气体激光检测系统的研制”,2016.1~2018.12;
        4.吉林省教育厅项目“P型Cu2O薄膜δ掺杂及其异质结光伏特性研究”,2015.1~2017~12;
        5. 吉林省科技厅项目“Si量子点敏化ZnO/P3HT复合材料太阳能电池”,2012.1~2015.7;
        6.吉林省教育厅项目“低维ZnO合金材料的制备及光学特性研究”,2011.1~2014.12;
        7 吉林省科技厅项目“Si掺杂类金刚石膜的研究”,2010.10~2015.12。
        另外,作为骨干参与总装“十三五”预研基金、重点基金、国家自然科学基金项目等10余项。

代表性论文或专利:

        作为通讯及第一作者发表论文30余篇,其中SCI、EI论文20余篇: 
        1. Structural and spectroscopy characterization of coaxial GaAs/GaAsSb/GaAs single quantum well nanowires fabricated by molecular beam epitaxy,CrystEngComm,2019,SCI/二区
        2. 高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性,中国激光,2019,EI
        3.GaAs纳米线晶体结构及光学特性,物理学报,2019,SCI/四区
        4. Optical properties improvement of GaSb epilayers through defects compensation via doping,Journal of Luminescence,2018,SCI/二区
        5. Optical properties of quasi-type-II structure in GaAs/GaAsSb/GaAs coaxial single quantum-well nanowires,Appl. Phys. Lett.,2018,SCI/二区
        6. Facile synthesis via a solvent molecular template and formation mechanism of uniform zinc antimony nanorods,Journal of Materials Science: Materials in Electronics,2018,SCI/三区
        7.The optical property improvement of GaAs via surface passivation and carriers restriction of MgO film,FERROELECTRICS,2018,SCI/四区
        8.High density GaAs nanowire arrays through substrate processing engineering,Materials Research Express,2018,SCI/四区
        9.Determination of band offset in MgO/InP heterostructure by X-ray photoelectron spectroscopy,Vacuum,2016,SCI/三区
        10.Optical Properties of Arsenic-Doped MgZnO Films Treated by Thermal Annealing,Nanoscience and Nanotechnology Letters,2015,SCI/三区
        11.Surface Periodic Nanostructure of p-GaSb Irradiated by Femtosecond Laser and Optical Properties Research Schottky diodes,2015,SCI/三区
        12.Synthesis and Characterization of ZnO/Ag-Doped ZnO Core–Shell Nanowires,2015,SCI/三区
        13.Progress on preparation of InAs nanowires by molecular beam epitaxy,CFMTIF,2015,EI
        14.The fabrication of InP nanoporous structure and optical property of sulfur passivated,Taylor & Francis Group,2016,EI
        15.The influence of metal species for surface Plasmon resonance of nanodisc array on GaSb,ICOM,2015,EI
        16.The influence of dielectric layer thickness on surface Plasmon resonance of gold nanodisc array on GaSb,ICOM,2015,EI
        17.Simulation of Local Surface Plasmon Resonance of Single Gold Nano-disk,ICOM,2015,EI
        18.以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn1-xO纳米纤维及其光学性质研究,光谱学与光谱分析,2014,SCI四区
        19.The structural and optical properties of Be-doped GaAs grown by MBE,Advanced Materials Research,2014,EI
        20.The surface and photoluminescence properties of GaAs passivated by wet chemical method,Advanced Materials Research,2014,EI
        21.The electrical characteristics of GaAs-MgO interfaces of GaAs MIS Schottky diodes,Advanced Materials Research,2014,EI
        22. 利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究,红外与激光工程,2013,EI
        23.Study on Deposition of Amorphous DLC-Si Films by RF-PECVD,APCOM,2012,EI
        24.haracterization of DLC-Si films prepared by RF-PECVD,ICOM,2012,EI

        申请国家发明专利10余项,其中授权专利5项:
        1.中国专利,Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器,授权,2015.3.13,授权号:CN 104638517 B
        2.中国专利,用分子束外延(MBE)在GaSb衬底上无催化制备Gasb纳米线的方法,授权,2019.4.30,授权号:CN 106785915 B 
        3.一种半导体光放大器,授权,2019.12.10,授权号:CN 106785915 B
        4.中国专利,一种发光效率增强的半导体激光器,授权,2019.9.27,授权号:CN 106410605 B
        5. 中国专利,一种量子点带间级联激光器,授权,2019.9.27,授权号:CN 105977885 B